簡易檢索 / 檢索結果

  • 檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "GaN".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="氮化銦鎵"


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    1

    反應式濺鍍法製備氮化鎵為主之III族氮化物薄膜及其鎂摻雜之特性探討
    • 材料科學與工程系 /102/ 博士
    • 研究生: 李成哲 指導教授: 郭東昊
    • 本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備III族氮化物薄膜,如GaN與InGaN等薄膜,濺鍍所需要的靶材則是將不同比例的金屬In、Ga與GaN陶瓷粉末混合後熱壓而成的陶金靶,靶材中的Ga含量需小於GaN…
    • 點閱:368下載:23

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    GaN/InGaN多重量子井之太陽電池模擬研究
    • 光電工程研究所 /97/ 碩士
    • 研究生: 張凱彥 指導教授: 葉秉慧
    • InxGa1-xN系統之能隙可以由3.42eV (GaN)調變至0.7eV (InN),其能隙幾乎涵蓋了地球表面上收到的太陽光的頻譜,所以選擇氮化鎵系統半導體材料進行太陽電池之研究。 本論文主要將以…
    • 點閱:200下載:0
    • 全文公開日期 2014/07/27 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    3

    分子束磊晶系統成長三五族氮化物奈米結構於光電化學產氫之研究
    • 光電工程研究所 /100/ 碩士
    • 研究生: 黃義仁 指導教授: 黃柏仁
    • 本研究中,利用電漿輔助式分子束磊晶系統在矽基板上成長氮化鎵奈米柱及氮化銦鎵薄膜結構,並將其運用在光電化學產氫的研究上。首先在氮化鎵奈米柱部份,成長不同長度的奈米柱(長度大約在120~720nm、直徑…
    • 點閱:294下載:3

    4

    以二乙基一氯鎵為鎵源先驅物的氮化鎵原子層磊晶之研究
    • 化學工程系 /94/ 碩士
    • 研究生: 林繼宏 指導教授: 洪儒生
    • 本研究利用原子層磊晶(ALE)技術合成氮化鎵(GaN)及氮化銦鎵(InxGa1-xN)三元混晶膜。以二乙基一氯鎵(DEGaCl)及氨氣(NH3)作為反應原料,並選用已成長氮化鎵的藍寶石磊晶片為基材,…
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